首发LPDDR5+UFS 3.0?三星Galaxy S10报料

2018年6月20日 10:37:43 编辑:风声边界
日前有消息表明,三星Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手机上了,之前传闻它会用上超声波指纹识及全新大底双摄技术,而在硬件配置上,Galaxy S10也有可能首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存

日前有消息表明,三星Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手机上了,之前传闻它会用上超声波指纹识及全新大底双摄技术,而在硬件配置上,Galaxy S10也有可能首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

明年的Galaxy S10手机除了设计、拍照等方面的改进之外,硬件配置显然也会再上一个台阶,用上高通骁龙855、三星9820处理器是顺理成章的升级,而在内存、闪存上还有可能来个大招,首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

OC3D网站爆料称三星今年夏天就会开始LPDDR5内存的生产,并与UFS 3.0闪存一起提供,这两种存储芯片的速度都要高于前代。

在这个问题上,下半年量产UFS 3.0闪存问题不大,UFS 3.0标准今年初已经发布,相比现在的UFS 2.0/2.1,UFS 3.0采用的带宽规范是HS-Gear4(G4),再次实现带宽翻倍,也就是单通道双向11.6Gpps,因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps,换算下速度在1.5-3GB/s左右,这速度跟M.2 SSD硬盘有得一拼了。

至于LPDDR5内存,这个标准跟DDR5息息相关但又保持一定的独立,DDR5最终规范还没发布,但是DDR5产品已经研发多年了,预计今年底就会有相关产品出现,LPDDR5则是DDR5的低功耗版,明年上市倒也可能。

不论LPDDR5还是UFS 3.0,明年的智能手机内存、闪存容量及性能再次提升是跑不了的,只希望Galaxy S10别再是4+64GB起步了。